国际电子商情讯，据台媒援引业界动静称，台积电已经完成A16（1.6纳米级）制程的开发与验证，规划在本年第四序度正式进入量产。

A16是台积电首个采用 超等电源轨 （SuperPowerRail，简称SPR）反面供电收集（BSPDN）技能的埃米级CMOS平台，标记着进步前辈制程从纳米时代正式迈入埃米时代。

台积电此前屡次公然暗示将于2026年内完成A16技能开发并在第四序器量产，这次开发与验证的完成象征着该线路图准期兑现。A16重要面向人工智能（AI）与高机能计较（HPC）芯片市场，被台积电定位为2纳米N2P工艺以后的要害进级节点。

台积电董事会已经在8月11日核准总额约294.425亿美元的本钱支出规划，专项用在进步前辈制程与封装产能扩张，为A16量产提供资金保障。

SPR反面供电：破解布线瓶颈，统筹兼容性

A16的焦点技能亮点于在SPR反面供电架构。传统芯片正面需同时承载供电路线与旌旗灯号互连，跟着制程节点不停缩小，布线空间日益拥堵，IRDrop（电阻压降）问题加重。SPR技能将电源收集从晶圆正面迁徙至反面，经由过程专用垂直反面接点（VB）直接向晶体管源极及漏极供电，实现供电路线与旌旗灯号路线的物理空间彻底分散。

相较在加强版2纳米工艺N2P，A16于划一功耗下机能晋升8%至10%，划一机能下功耗降低15%至20%，芯片密度晋升8%至10%。三项指标同步改善，对于需统筹高吞吐量与严酷功率上限的AI加快器及HPC芯片具备显著吸引力。

尤为要害的是，台积电将对于正面晶体管布局及既有设计生态的改动节制于最低程度。据华尔街见闻报导，A16保留了N2P的栅极密度及NanoFlex设计弹性，已经基在台积电进步前辈制程举行设计的客户向A16迁徙时，无需对于尺度单位及设计架构举行年夜范围重构。这一兼容性上风对于设计周期长、IP繁杂度高的AI芯片客户尤为主要。

英伟达 费曼 GPU规划2028量产

供给链动静显示，英伟达已经锁定台积电A16制程用在下一代代号为 费曼 （Feynman）的GPU微架构，并直接跳过N2（2纳米）系列节点，但也有报导称可能采用A16+N3P混淆工艺以应答产能约束。 费曼 GPU规划在2028年下半年量产，将代替当前的Rubin及RubinUltra架构。

现实上， 费曼 平台不仅依靠A16制程自己，还有将组合应用台积电多项目级封装技能：经由过程SoIC实现3D芯粒垂直重叠，以CoWoS-L举行2.5D横向整合，并初次年夜范围导入共封装光学（CPO）技能。内存方面，英伟达估计与互助伙伴配合开发定制化HBM，量产时点可能导入HBM4E。体系级带宽方针冲破1,000TB/s，迈入PB/s级别。

业界阐发指出，英伟达选择跳过N2直取A16，焦点缘故原由于在A16的反面供电技能能为功耗达数千瓦级的巨型AIGPU提供更优的能效体现，同时设计迁徙成本可控。NVIDIA作为台积电持久焦点客户的率先 选边 ，为A16制程提供了有力的市场违书。

三星1.4nmSF1.4推延至2029年量产

于台积电A16加快落地的同期，竞争敌手三星晶圆代工却于进步前辈制程线路上呈现调解。上月初，三星于SAFEForum2026论坛（韩国首尔场）上更新技能蓝图，将1.4纳米（SF1.4）量产时间从此前预报的2027年推延至2029年，为官方初次公然确认延后。

三星将资源重心转向2纳米（SF2）和其衍生工艺SF2P的良率不变化及机能优化，Exynos2800智能手机版旗舰处置惩罚器的制造工艺也从原规划的1.4纳米调解为2纳米进步前辈版本。今朝，三星已经于NRD-K进步前辈研究举措措施安装ASML高数值孔径EUV光刻装备，为2029年SF1.4量产做预备。

对于比来看，台积电A14（1.4纳米级）规划2028年量产，三星SF1.4则定在2029年，二者相差约一年。而台积电A16本年第四序度行将量产，三星于埃米级制程上的现实产能落地估计将更晚。

CoWoS产能瓶颈催出产业链分工新格式

值患上留意的是，跟着AI芯片需求连续爬升，台积电进步前辈封装技能CoWoS的产能瓶颈日趋凸显。台媒还有报导称，台积电部门CoWoS进步前辈封装后段定单外溢至英特尔马来西亚工场，以部门产能互助撑持配合年夜客户。中国台湾经济研究院研究员刘佩真猜测，跟着财产链走向更邃密的专业化分工与区域化互补，AI半导体供给链正从已往的 赢家通吃 模式转向协同共进，配合做年夜AI市场。

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