本地时间8月27日，SK海力士于美国印第安纳州进行了昌大的奠定典礼，正式启动其于美国的首个HBM进步前辈封装出产基地设置装备摆设。

于AI算力需求发作确当下，全世界存储芯片巨头SK海力士正于加快其全世界供给链的重组。

本地时间8月27日，SK海力士于美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）的普渡年夜学霍洛威体育馆进行了昌大的奠定典礼，正式启动其于美国的首个HBM（高带宽存储器）进步前辈封装出产基地设置装备摆设。

这一总投资额跨越40亿美元的项目，不仅是SK海力士于美国本土落地的首坐HBM出产基地，更是其应答全世界AI芯片市场激增需求、深化与北美客户绑定的要害战略结构。按照计划，这坐位在印第安纳州的晶圆厂将专注在HBM存储器的进步前辈封装与测试。项目估计在2028年10月完成无尘室设置装备摆设，并规划于2029年下半年正式开启新一代HBM产物的量产。

SK海力士方面吐露，该基地将来将成长成为拥有跨越1000名员工的焦点出产基地。对于在正处在算力竞赛中的美国科技巨头而言，这一 美国制造 的HBM产能无疑是一颗主要的定心丸。

值患上留意的是，印第安纳工场并不是从零最先制造所有部件，而是采用了 韩美联动 运营模式。

详细而言，SK海力士将使用其于韩国成熟的晶圆制造能力出产进步前辈晶圆，随后将其输送至印第安纳州工场举行末了的进步前辈封装及测试。这类分工模式既能使用韩国于晶圆制造上的技能积淀，又能满意美国客户对于在供给链本土化、缩短交付周期的火急需求。

此外，工场还有将同步构建 进步前辈封装研发测试床（Testbed） 。这象征着SK海力士将不单单是一个代工场，更是一个研发中央，可以或许与客户、年夜学和贸易伙伴配合开发下一代封装技能，快速推进原型试制与机能验证。选址印第安纳州西拉斐特，SK海力士显然颠末了寻思熟虑。这里不仅有州当局的鼎力大举撑持，更座落着工程学科顶尖的普渡年夜学。

于奠定典礼现场，SK海力士与普渡年夜学正式签订了进步前辈封装范畴的研发互助体谅备忘录（MOU）。两边将基在此增强互助，配合霸占包括HBM于内的下一代体系集成和进步前辈封装技能难题。

SK海力士规划以此为契机，扩展与美国中西部地域重要高校和研究机构的互助收集。于芯片行业人材争取战日趋激烈的今天，这类 产学研 深度绑定的模式，将为其于全世界规模内引进顶尖人材提供强有力的支撑。SK海力士的入驻正于激发显著的 虹吸效应 。据悉，今朝已经有跨越100家涵盖质料、零部件和装备范畴的互助伙伴正于洽谈进驻西拉斐特事宜。

这一重大的供给链集群不仅将为印第安纳晶圆厂的不变运营提供保障，更将极年夜地夯实本地的AI生态体系。据估算，跟着工场的设置装备摆设与运营，SK海力士将与美国本土企业配合创造约7000个直接和间接就业岗亭。

当天，印第安纳州州长迈克 布劳恩（Mike Braun）、美国商讨员托德 扬（Todd Young）以和普渡年夜黉舍长米奇 丹尼尔斯（Mitch Daniels）均出席了典礼。SK集团美洲主管副会长俞柾准、副会长李亨熙和SK海力士CEO郭鲁正等高管也配合见证了这一汗青时刻。

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